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      其他產品及廠家

      2-12um MCT中紅外 非冷卻 光浸式多結光伏探測器 PVMI系列
      pvmi系列(pvmi-8/pvmi-10.6)是基于復雜的hgcdte異質結構的非冷卻紅外多結光伏探測器,采用光學浸沒的方式改善器件的參數,以達到的性能和穩定性。探測器在λopt入射時性能佳。這是一款te別適用于在2 ~ 12 μm光譜范圍內工作的大感光面探測器。
      更新時間:2025-11-06
      2.0-12.0um 非冷卻 光電磁MCT紅外光伏探測器 PEM系列
      產品總覽pem系列是一款基于光電磁效應的mct紅外光伏探測器。光入射會使探測器內部半導體產生的電子空穴對在磁場的作用下移動。該器件在10.6 μm處探測性能佳,是一款te別適用于探測連續波和低頻調制輻射的大感光面探測器。
      更新時間:2025-11-06
      3.0-12.0um 超高速MCT光浸式紅外光伏探測模塊
      產品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對紅外檢測模塊。它是基于mct異質結構的熱電冷卻光浸沒式光伏探測器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應。
      更新時間:2025-11-06
      2-12um MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列
      pvi-4te系列是基于復雜的hgcdte異質結構的四級熱電冷卻紅外光電探測器,具有的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有他本身的z佳性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。
      更新時間:2025-11-06
      2.9–5.5?m 碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 平衡/自動平衡 紅外檢測模塊 1.8 MHz
      產品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號檢測而設計的紅外檢測模塊。該設備可以在平衡和自動平衡模式下運行。該檢測模塊使用兩個基于 hgcdte 異質結構的獨立檢測器。這些 ir 檢測器(信號和參考)精確匹配,以實現非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測器的基本噪聲的系統中運行。
      更新時間:2025-11-06
      2.7-5.6um DC-18MHz碲鎘汞可編程實驗室紅外檢測模塊(帶光浸式光伏探測器)
      產品總覽labm-i-5是一種檢測模塊,其特征是基于hgcdte異質結構(pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36)的te冷卻、光學浸沒光伏紅外探測器,與可編程跨阻抗放大器(pip系列)集成。為了正常運行,需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01(單獨出售)和smart manager軟件(免費軟件)。
      更新時間:2025-11-06
      碲鎘汞 MCT(HgCdTe)通用紅外檢測模塊 3.0–6.7?m DC–1 MHz
      產品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測模塊。它是基于碲鎘汞異質結構的熱電冷卻光浸沒光伏探測器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測模塊是非常方便和用戶友好的設備,因此可以很容易地用于各種mwir應用。
      更新時間:2025-11-06
      1-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導探測器 PCI系列
      pci系列是基于復雜的mct異質結構的非冷卻紅外光電導探測器,通過光學浸沒來改善器件的參數,具有的性能和穩定性。探測器在λopt時工作性能佳。截止波長受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設備應該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。
      更新時間:2025-11-06
      190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器
      190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm,可實現定量光電轉換,動態范圍寬,適用于各種光電開發場景,性能,性價比高,提供quan方位技術支持,常應用于紫外與可見光測量。
      更新時間:2025-11-06
      800~2600nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸
      800~2600nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ,感光范圍覆蓋800nm~1700nm, 常用于 近紅外光測量;放大型探測器,8檔可調增益 ,定量化光電轉換;動態范圍寬 ,適用于各種光電開發場景 ,應用廣泛
      更新時間:2025-11-06
      320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器
      320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設計用于提供比標準pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的apd之外,還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償的版本。
      更新時間:2025-11-06
      320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器
      320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設計用于提供比標準pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的apd之外,還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償的版本。
      更新時間:2025-11-06
       InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應范圍0.9-1.7μm
      光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 a/w; 3針to46 封裝;smf-28e 光纖耦合;fc/apc, 不帶 tce
      更新時間:2025-11-06
       銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二管 900-1800nm
      光譜響應范圍 900-1700nm;光敏面直徑 10mm;響應度@1550nm 0.95 a/w; 光敏材料 ingaas;5 pin腳
      更新時間:2025-11-06
      2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列
      2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測器 pvi系列pvi系列是基于復雜的mct異質結構的非制冷紅外光電探測器,采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數,使其具有的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的z佳性能。
      更新時間:2025-11-06
       InGaAs光電二管模塊 光譜響應800-1600nm
      光譜響應范圍 800-1600nm,速度 1.25gbps,帶tia,5pin腳
      更新時間:2025-11-06
      800~1700nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器
      800~1700nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器我們的硅探測器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測量;放大型探測器,8檔可調增益 ,定量光電轉換;動態范圍寬 ,適用于各種光電開發場景 ,應用廣泛;索雷博thorlabs同款 ,無縫兼容;性能 ,高性價比 ,quan方位技術支持; 提供非標定制服務。
      更新時間:2025-11-06
       InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應0.9-1.7μm
      光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝;smf-28e 光纖耦合;fc/apc, 帶 tce
      更新時間:2025-11-06
       硅Si高性能雪崩光電二管 400-1000nm 感光直徑0.5mm 封裝TO-18
      感光面積:0.2mm2 感光直徑:0.5mm 擊穿電壓:225v 結電容:1.6pf 暗電流:15na 增益:150 噪聲電流:0.23pa/√hz 封裝:to-18,平面窗口 峰值靈敏度波長:830 nm 響應時間: 響應度: 在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時間:0.5ns 溫度系數:0.7v/°c 波長:400-1100nm
      更新時間:2025-11-06
       硅Si雪崩光電二管 905nm  400-1100nm 光敏面直徑0.5mm
      光譜響應范圍:400-1100nm 峰值響應波長:905nm 光敏面直徑:0.5mm 封裝:lcc3
      更新時間:2025-11-06
      320~1100nm放大型可調增益硅光電探測器
      320~1100nm放大型可調增益硅光電探測器我們的硅探測器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測量;放大型探測器,8檔可調增益 ,定量光電轉換;動態范圍寬 ,適用于各種光電開發場景 ,應用廣泛;索雷博thorlabs同款 ,無縫兼容;性能 ,高性價比 ,quan方位技術支持; 提供非標定制服務。
      更新時間:2025-11-06
       光電二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封裝30/TO-5
      光譜范圍350-100nm,響應度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5
      更新時間:2025-11-06
      800~2600nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸
      800~2600nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ,感光范圍覆蓋800nm~1700nm, 常用于 近紅外光測量;放大型探測器,8檔可調增益 ,定量化光電轉換;動態范圍寬 ,適用于各種光電開發場景 ,應用廣泛;
      更新時間:2025-11-06
      Alphalas UPD超快光電探測器320-900nm
      上升時間:<30ps 帶寬:>10ghz 光譜響應范圍:320-900nm 量子效率@peak:40% 光敏面大小:200×200 / 0.04um/mm2 nep:3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流:0.1na 材料:gaas 輸入方式:空間光輸入 rf信號輸出:sma
      更新時間:2025-11-06
      BOA1310070YY300MXXXX-光纖耦合半導體功率放大器
      中心波長:1310nm;飽和輸出功率@-3db:20dbm;帶寬@-3db:70nm;偏振消光比:18db;小信號增益@pin=-20dbm:37db,光纖類型:hi1060或pm1300,接頭類型:fc/apc;需要套管請備注
      更新時間:2025-11-06
      高摻磷拉曼光纖
      高摻磷拉曼光纖高摻磷拉曼光纖專為在 1. 1-1.6 ?m 光譜范圍內工作的高效拉曼激光器 和放大器而設計。與摻鍺光纖相比,摻磷光纖的主要優點是拉曼位移值高出三倍。 這一特性可以極大地簡化拉曼光纖激光器和放大器的設計。
      更新時間:2025-11-06
      C 波段 145 GHz IQ 調制器
      c 波段 145 ghz iq 調制器c波段 145 ghz iq調制器是一種基于相干光學原理的集成光子器件。其核心功能是將高速電數據信號轉換為復雜格式的光學信號,其3db電光帶寬達到145 ghz,并工作在c波段(1530-1565 nm)——光纖通信中損耗z低、容量max. 的核心波段。
      更新時間:2025-11-06
      O/C 波段 145 GHz 環形諧振腔調制器
      o/c 波段 145 ghz 環形諧振腔調制器一種基于 環形光學諧振腔的電光調制器,其工作波長覆蓋 o波段(1260-1360 nm)和/或 c波段(1530-1565 nm),并且其 3-db 電光調制帶寬 達到 145 ghz
      更新時間:2025-11-06
      O/C 波段 70 GHz環形諧振調制器
      o/c 波段 70 ghz環形諧振調制器一款達到70 ghz電光帶寬的環形諧振調制器是一種旨在克服rrm傳統速度限制的高性能器件。它試圖在保持rrm超緊湊尺寸和高能效固有優勢的同時,實現與mzm相媲美的速度,以滿足下一代超高速互連的需求。
      更新時間:2025-11-06
      EMK100 模塊化OEM能量測量系統
      emk100 模塊化oem能量測量系統emk 系列 oem 模塊可幫助激光制造商將 peo 系列傳感器簡單且經濟高效地集成到其激光系統中,無需投入大量開發工作。emk100 基本型號為每個激光脈沖提供相應的模擬電壓,可通過激光控制單元輕松讀取。額外的電源、測量和觸發信號連接觸點使模塊可插入其自身的電路板,從而減少所需的布線數量。
      更新時間:2025-11-06
      Saturn 9系統- 8mm和10mm
      saturn 9系統- 8mm和10mmsaturn 9 是一款基于振鏡的光學掃描系統,旨在快速移動 8 毫米至 10 毫米孔徑范圍內的光束。它旨在滿足投影和成像應用的需求,例如激光娛樂顯示器;以及激光雷達系統、激光打標和材料加工系統。
      更新時間:2025-11-06
      1550nm 超發光二極管模塊 (光纖功率 2mW)
      1550nm 超發光二極管模塊 (光纖功率 2mw)超發光二極管(sld)芯片大功率系列是一種高性能、低偏振、寬光譜的sld模塊。它符合gr-468-core標準,并通過rohs認證。 superluminescence diode module 1550nm
      更新時間:2025-11-06
      PLMA-EYDF-25P/300-XPH-11FA, PM Er/Yb-Doped 雙包層光纖
      plma-eydf-25p/300-xph-11fa, pm er/yb-doped 雙包層光纖plma-eydf-25p/300-xph光纖專為1.5 ?m高功率激光系統優化設計,具有25 ?m纖芯直徑和300 ?m包層直徑,可提供的光束質量并有效抑制1 ?m波段ase噪聲。
      更新時間:2025-11-06
      900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 非制冷型
      900-1700nm ingaas蓋革模式雪崩光電二極管 非制冷型ingaas 雪崩光電二極管(apd)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。
      更新時間:2025-11-06
      THZ標準系列
      thz標準系列這些傳感器針對太赫茲波段進行了優化。它們結構緊湊,有效面積大,響應時間短。其基本原理是利用吸收層吸收脈沖或斬波調制連續波輻射源的輻射脈沖。與低噪聲電流放大器結合使用,可以測量輻射源的功率。
      更新時間:2025-11-06
      THZ標準系列
      thz標準系列這些傳感器針對太赫茲波段進行了優化。它們結構緊湊,有效面積大,響應時間短。其基本原理是利用吸收層吸收脈沖或斬波調制連續波輻射源的輻射脈沖。與低噪聲電流放大器結合使用,可以測量輻射源的功率。
      更新時間:2025-11-06
      AS紫外 / 紅外石英 / 石英光纖
      as紫外 / 紅外石英 / 石英光纖as紫外/紅外石英光纖采用高羥基純熔融石英纖芯與摻氟石英包層結構,在180-1100nm深紫外至近紅外波段展現出的透光性能,其紫外區透過率顯著優于常規塑包石英光纖。
      更新時間:2025-11-06
      光學掃描振鏡 -適用于8mm至10mm孔徑
      光學掃描振鏡 -適用于8mm至10mm孔徑saturn 9b 光學掃描振鏡專為快速移動大直徑光束并實現廣角掃描而設計,其應用包括超高功率激光娛樂展示等場景。在正弦驅動下,saturn 9b 能使 10mm光束以超過 500hz 的頻率實現 40° 光學角度的移動。
      更新時間:2025-11-06
      1.0~2.6 um擴展型InGaAs光電二極管
      1.0~2.6 um擴展型ingaas光電二極管應用領域:光譜探測與分析、氣體分析、水含量分析等產品特點:正照射結構、靈敏度高、響應時間快、to46 封裝
      更新時間:2025-11-06
      OEM 系列PEO用于安裝在激光器中的能量傳感器
      oem 系列peo用于安裝在激光器中的能量傳感器這些測量頭具有高靈敏度和高重復率的特點。無窗口設計和金屬吸收層使其能夠在紫外波段使用。如有需要,例如用于不同波長,我們還可以為這些傳感器配備我們久經考驗的寬帶吸收黑色層。用于安裝在激光器中的能量傳感器,適用于激光器內置安裝的能量測量頭
      更新時間:2025-11-06
      中紅外MIR光電探測器 2.6-4.6um (TO-18 光敏直徑0.5mm)
      中紅外mir光電探測器 2.6-4.6um (to-18 光敏直徑0.5mm)led microsensor nt 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電二極管,具有更高的響應度(高達 3-5 倍)。這允許在不同的氣體、液體和固體傳感和分析應用中獲得更高的精度。連同其他優勢(緊湊的尺寸、高響應速度),我們的光電二極管成為傳感器和分析儀的更令人印象深刻的元件基礎。
      更新時間:2025-11-06
      900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 內置TEC制冷型
      900-1700nm ingaas蓋革模式雪崩光電二極管 內置tec制冷型ingaas 雪崩光電二極管(apd)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。
      更新時間:2025-11-06
      D2250-100M 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um
      d2250-100m 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um中紅外探測器面臨的max挑戰通常是大量的固有噪聲,并且它們會從周圍環境中收集大量噪聲。我們的單波長檢測器通過使用窄帶和高效的上轉換技術以及低噪聲硅基檢測器來緩解這兩個限制。
      更新時間:2025-11-06
      900-2700nm 大光敏面InGaAs 銦鎵砷光電二極管 φ2mm
      900-2700nm 大光敏面ingaas 銦鎵砷光電二極管 φ2mmpl3000系列是一個全色pin光電二極管,截止波長高達2700nm。它使用的是ingaas材料,三元化合物半導體ingaas材料用于制作各種光電器件,材料本身性能穩定。本系列的設計可以用于環境氣體檢測應用,測量co或者co2,它提供優良的并聯電阻與響應在寬譜范圍內
      更新時間:2025-11-06
      可見光 - 紅外鍍鋁抗輻射單模光纖
      可見光 - 紅外鍍鋁抗輻射單模光纖抗輻射光纖旨在減輕輻射誘導衰減(ria)的影響,并延長其在輻射環境中的使用壽命。憑借十年的研發投入與科 研合作積累,本公司提供單模和多模抗輻射光纖,適用于高輻射水平和 / 或極端溫度的惡劣環境。
      更新時間:2025-11-06
      熱電堆功率探頭 50uW-3W
      熱電堆功率探頭 50uw-3w這些測量頭系列的突出特點是高靈敏度。它使您能夠在巨大的動態范圍(可達 5 個維度)內進行高精度測量,具有高線性度,并且與光電二極管不同,在高功率水平下無飽和效應。寬帶吸收層允許在190nm至25um的范圍內使用,且無明顯的波長依賴性。
      更新時間:2025-11-06
      900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ2mm
      900-2600nm 銦鎵砷ingaas pin光電二極管 φ2mmingaas 光電二極管主要用于近紅外探測,具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍(0.5 μm to 2.6 μm)等特點。
      更新時間:2025-11-06
      電壓前置放大器 VPA
      電壓前置放大器 vpa使用這些放大器可以測量z低能量(使用pem 4時約為10 nj)。由于放大和電容負載的降低,探測器的靈敏度將顯著提高。放大器的帶寬專門針對此應用進行了調整。由于采用模塊化組裝,整個動態范圍將大幅提升。此外,使用較小的負載電阻(以提高可能的重復率)可以補償靈敏度損失。
      更新時間:2025-11-06
      電壓前置放大器 VPA
      電壓前置放大器 vpa電流前置放大器是實現入射輻射功率測量的必要條件。該放大器由輸入側的跨阻放大器集成電路 (ic) 和另外兩個電壓放大器級組成。此外,還有一些用于降低噪聲和調節失調電壓的附加元件。實際應用中,max. 放大倍數受截止頻率限制。z高放大倍數只能在較小的頻率范圍內實現。
      更新時間:2025-11-06
      光學掃描振鏡--適用于10mm至20mm孔徑
      光學掃描振鏡--適用于10mm至20mm孔徑saturn 15b 光學掃描器 專為滿足光孔徑在 10mm 至 20mm 范圍內的應用需求而設計,如激光打標、激光焊接、通孔鉆孔、選擇性激光燒結(sls)3d 打印以及大光束激光顯示等。該型號提供多種線圈配置,包括一種具有超低電感和低電阻的配置,專為實現極快步進時間進行優化;另一種則具有中等電感和電阻,適用于如激光顯示這類大信號應用。
      更新時間:2025-11-06

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