等離子體刻蝕設備產品及廠家
plasmapro 100 cobra icp rie系統利用高密度電感耦合等離子體實現快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括gaas和inp激光光電子、sic和gan電力電子/射頻以及mems和傳感器在內的多個市場域。
更新時間:2025-09-09
sentech si 500 ccp 系統使用動態溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態溫度控制功能的襯底電與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。
更新時間:2025-09-09
sentech si 591 緊湊型 rie 等離子蝕刻系統具有負載鎖定功能，是氯基和氟基 rie 的緊湊型解決方案。具有出色的工藝可重復性和等離子蝕刻工藝靈活性，這得益于真空負載鎖定和由計算機控制的等離子體蝕刻工藝條件。靈活性、模塊化和小尺寸是 sentech si 591 compact 的設計特點。可以裝載直徑達 200 mm 的樣品和載體。該系統可以配置為穿墻操作或具有多種選項的小占地
更新時間:2025-09-09
sentech etchlab 200 rie等離子蝕刻系統代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統，結合了rie平行板電設計的優點和直接負載的成本效益設計。
更新時間:2025-09-09
sentech si 500 c 低溫 icp-rie 等離子體蝕刻系統代表了電感耦合等離子體 （icp） 處理的沿技術，其寬溫度范圍為 -150 °c 至 150 °c。 該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個動態溫控基板電、一個受控的真空系統和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設計特點。該系統可以配置為處理各種精細結si, sio2, si3n4, gaas和inp
更新時間:2025-09-09
lmec-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設備，應用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復雜的金屬疊層，例如磁存儲器的磁隧道節（mtj）、相
更新時間:2025-09-09
pangea®a系列常規ibs設備由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發性副產物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性。
更新時間:2025-09-09
lorem® a 系列常規 ibs 設備，由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發性副產物的影響。這種物理方案，幾
更新時間:2025-09-09
herent® chimera® a 金屬硬掩膜刻蝕設備，為針對 12 英寸 ic 產業的后道銅互連中氮化鈦（tin）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一
更新時間:2025-09-09
herent® chimera® m 金屬刻蝕設備，為針對12英寸ic產業0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發的用產品， 同時也可應用于鋁墊（al pad）刻蝕。該設備承襲了 chimera® a 的先進設計理念，具有出色的均勻性調控手段， 可以為客戶提供高性價比的解決方案。
更新時間:2025-09-09
tebaank® pishow® p 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產型設備設備由電感耦合等離子體刻蝕腔（icp etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構成適用于0.11微米及其它技術代的多晶硅柵（poly gate）、側墻（spacer）、淺溝槽隔離（sti）工藝
更新時間:2025-09-09
kessel™ pishow® m 金屬刻蝕設備為可用于8英寸的ic產線鋁金屬工藝的量產型機臺，基于自有開發的優化設計，保證了優異的刻蝕均勻性（片內<8%，片間<5%）和顆粒控制。在4微米厚鋁刻蝕工藝中，可以提供8000片/月的產能。
更新時間:2025-09-09
詳細介紹icp是一種加工微納結構的等離子刻蝕技術。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優點。目被廣泛應用于si、sio2、sinx、金屬、iii-v族化合物等材料的刻蝕。可應用于大規模集成電路、mems、光波導、光電子器件等域中各種微結構的制作。
更新時間:2025-09-09
pishow® d 系列深刻蝕設備，是針對8英寸~6英寸產線或科研深硅刻蝕工藝的用設備，擁有自主開發的優化設計，保證了優異的刻蝕精度控制和損傷控制。提供si bosch工藝的解決方案。該設備高性價比的解決方案和優秀的空間利用率，可幫助不同客戶實現產能升。
更新時間:2025-09-09
ccp腔室適用于制造微納結構的等離子刻蝕技術。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產生化學反應，生成可揮發產物后，隨真空抽氣系統排出。魯汶儀器的 haasrode® avior® a 在性價比和空間利用率上優點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。
更新時間:2025-09-09
對應光學器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700對應光學器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700是搭載了磁性中性線（nld- neutral loop discharge）等離子源的量產用干法刻蝕裝置。（可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子）
更新時間:2025-09-09
eis-1500是由elionix研發的108mm的大直徑光束，通過充分利用光束面內分布監控功能，可以實現各向異性干法蝕刻的離子束刻蝕設備。
更新時間:2025-09-09
1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統；2.系統可用于研發和小批量生產；3.系統兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空 。
更新時間:2025-09-09
1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統2.系統可用于研發和小批量生產3.系統兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空
更新時間:2025-09-09
本設備主要用于半導體刻蝕，能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能，使用氣態化學刻蝕劑與材料產生反應來進行刻蝕，并形成可從襯底上移除的揮發性副產品，通過真空系統排出，特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( pi) 薄膜、金屬等材料。
更新時間:2025-07-14
mems 蝕刻機tm 是使用xef2的簡單的各向同性硅蝕刻系統。通過將硅用作犧牲層，可以為mems的釋放提 供一種具有成本效益的解決方案。在我們看來，硅用作犧牲層并用xef2去除是微加工中使用的較好的釋放 工藝。
更新時間:2025-06-26
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