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      物理氣相沉積設(shè)備產(chǎn)品及廠家

      維意真空高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)支持定制
      濺射真空室組件1套,球型真空室尺寸ф300mm,選用真空專用304#不銹鋼材料制造氬弧焊接,表面進(jìn)行噴玻璃丸處理。各法蘭口按超高真空系統(tǒng)設(shè)計(jì),采用金屬密封,支持定制15611171559。
      更新時(shí)間:2025-10-31
      維意真空手套箱金屬有機(jī)多源蒸發(fā)鍍膜一體機(jī)支持定制
      本套設(shè)備配有8個(gè)有機(jī)源及2個(gè)金屬源金屬蒸發(fā)源和有機(jī)蒸發(fā)源可按客戶要求配置15611171559.
      更新時(shí)間:2025-10-31
      維意真空高真空金屬有機(jī)蒸發(fā)鍍膜機(jī)支持定制
      真空室的極限真空度達(dá)5*10-5pa,漏率為關(guān)機(jī)12小時(shí)≤5pa,支持定制15611171559.
      更新時(shí)間:2025-10-31
      8英寸離子束沉積(IBD)設(shè)備
      ganister™ a離子束沉積設(shè)備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的用產(chǎn)品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜,靶材選
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
      ec400真空熱蒸鍍膜儀是一款功能全面的高真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備,為薄膜制備與研究設(shè)計(jì)。其核心組件包括真空室、蒸發(fā)源、膜厚監(jiān)測儀、樣品臺、真空獲得與測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng),以及先進(jìn)的plc+觸摸屏自動控制系統(tǒng)。該設(shè)備采用一體化設(shè)計(jì),將主機(jī)與控制單元緊密結(jié)合,不僅操作簡便,而且結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,非常適合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
      該設(shè)備主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
      ms450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)是一種高真空環(huán)境下的先進(jìn)鍍膜設(shè)備,廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米技術(shù)、電子工程等多個(gè)域。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
      該設(shè)備主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。該系統(tǒng)可與手套箱對接。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
      高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺等部分組成,體現(xiàn)立方整體外觀,適用于超凈間間壁隔離安裝,操作面板一端處在相對要求較高超凈環(huán)境,其余部分(含低溫泵抽系統(tǒng))處在相對要求較低超凈環(huán)境。本系統(tǒng)配有一套電子槍及電源,可滿足在al,ni,ag,pt,pd,mo,cr和ti等多種金屬
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      產(chǎn)品概述:高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途:可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空磁控濺射粉末顆粒表面薄膜沉積系統(tǒng)
      高真空磁控濺射粉末顆粒表面薄膜沉積系統(tǒng)可以在粉末顆粒狀樣品表面鍍制金屬膜、磁性膜、絕緣膜等,采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)?蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的粉末樣品表面鍍制薄膜材料的科研項(xiàng)目。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      產(chǎn)品概述:高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途:用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      產(chǎn)品概述:高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途:用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空磁控濺射與離子束復(fù)合薄膜沉積系統(tǒng)
      本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)先的軟件控制系統(tǒng)。用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      產(chǎn)品概述:系統(tǒng)主要由濺射真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途:用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)
      產(chǎn)品概述:系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途:脈沖激光沉積(pulsed laser deposition,簡稱pld)是新近發(fā)展起來的一項(xiàng)技術(shù),繼20世紀(jì)80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后,它獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和潛力逐漸被人們認(rèn)識和重視。該項(xiàng)技術(shù)在生成復(fù)雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空有機(jī)及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
      高真空有機(jī)及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
      產(chǎn)品概述:系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺等部分組成,體現(xiàn)立方整體外觀,適用于超凈間間壁隔離安裝
      更新時(shí)間:2025-09-09
      離子束沉積設(shè)備
      光掩模制造需要高水平的顆?刂,同時(shí)沉積復(fù)雜的多層薄膜結(jié)構(gòu)。veeco 的 nexus ibd-ldd 離子束沉積系統(tǒng)可以應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。自 1990 年代以來,veeco 已成功服務(wù)于光掩模市場,多年的學(xué)習(xí)造就了當(dāng)先進(jìn)的系統(tǒng)。ibd-ldd 系統(tǒng)是當(dāng) euv 掩模坯料上的鉬 (mo) 和硅 (si) 多層沉積和釕 (ru) 封端層沉積的理想選擇,以及其他需要低缺陷水平和先進(jìn)薄膜的掩模應(yīng)用。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      離子束沉積設(shè)備
      適用于硬偏置、引線、絕緣層和傳感器堆棧沉積數(shù)據(jù)存儲制造商可以借助 veeco 的第三代 nexus? 離子束沉積 (ibd) 系統(tǒng)大幅提高 80gb/in2 傳感器的產(chǎn)量,并滿足未來 tfmh 設(shè)備制造的需求。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      AE物理氣相沉積平臺
      covap pvd 平臺為許多過程應(yīng)用提供了緊湊、經(jīng)濟(jì)且仍然強(qiáng)大的解決方案。為需要安全可靠的工具的實(shí)驗(yàn)室而設(shè)計(jì),該工具可在緊湊的占地面積內(nèi)生產(chǎn)可重復(fù)的高質(zhì)量薄膜。沉積源被隔離,以減少熱效應(yīng)和交叉污染。covap pvd平臺配備了一整套可拆卸的腔室屏蔽層,以確保腔室易于清潔和維護(hù)。在腔室打開時(shí),源、功率和氣動壓力被切斷,確保了高別的安全性。它可以集成到手套箱中,也可以在獨(dú)立配置中選擇.
      更新時(shí)間:2025-09-09
      鋁物理氣相沉積系統(tǒng)
      evictor al pvd 鋁物理氣相沉積系統(tǒng),先進(jìn)的磁控濺射系統(tǒng),有效提高薄膜均勻性及靶材利用率。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      8英寸 通用物理氣相沉積系統(tǒng)
      polaris系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng),多種材料膜層工藝能力,低損傷,高深寬比填充能力。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)
      polaris系列 12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng),磁控濺射源和腔室結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)有效提高靶材利用率。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      濺射系統(tǒng)
      itops pvd ito 濺射系統(tǒng),加熱能力、精確的溫度控制、優(yōu)異的真空能力。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      AE物理氣相沉積平臺
      nexdep pvd平臺在經(jīng)濟(jì)性和多功能性之間取得了平衡。它可以配備強(qiáng)大的工藝增強(qiáng)功能,而不會占用實(shí)驗(yàn)室的所有空間或預(yù)算。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用終目標(biāo)將告知如何裝備您的 nexdep pvd 平臺。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      新型離子槍
      通過采用結(jié)合空心陽離子槍和磁控管離子槍的新型離子槍,可實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)結(jié)構(gòu)的薄膜。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      阿莫德物理氣相沉積平臺
      angstrom engineering 的 amod pvd 平臺是一款物理氣相沉積系統(tǒng)該 pvd 平臺開始允許更大的腔室投射距離,并能夠適應(yīng)更多的工藝增強(qiáng)功能。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用終目標(biāo)將告知如何裝備您的 amod pvd 平臺。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      物理氣相沉積平臺
      evovac pvd 平臺可以做任何您需要的事情。它有一個(gè)大腔室,可以配備您需要的任何源或工藝增強(qiáng)。evovac 物理氣相沉積平臺是我們具可定制性的單腔室平臺,因此它可以配備用于特定應(yīng)用的工具,也可以成為適合您實(shí)驗(yàn)室中各種獨(dú)特用戶的多功能多源沉積主力。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      箱式涂布機(jī)
      箱式涂布機(jī)是一種靈活的、與潔凈室兼容的涂布平臺,能夠從小批量生產(chǎn)到大批量生產(chǎn),能夠主動建模和校正膜厚不均勻性、材料產(chǎn)量和產(chǎn)量。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用終目標(biāo)將告知如何裝備您的箱式涂布機(jī)。它非常適合各種應(yīng)用,包括金屬化、光學(xué)鍍膜、傳感和銦凸塊鍵合制造。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)
      evictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng),加熱基座設(shè)計(jì),具備良好的溫度均勻性,高溫厚鋁工藝連續(xù)作業(yè)無累溫。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      PVD-間歇式滾筒系列
      kurt j. lesker company pvd-batch drum系列由兩種標(biāo)準(zhǔn)尺寸(pvd 200 和 pvd 500)組成,可配置為水平或垂直配置。當(dāng)顆粒物是一個(gè)主要問題時(shí),水平配置優(yōu)先。水平和垂直配置均可用于 3d 涂層的雙軸旋轉(zhuǎn)。通過每次運(yùn)行的沉積面積來衡量的吞吐量范圍從幾百平方英寸到超過 2000 平方英寸,并且還提供更大的定制系統(tǒng)。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      部件鍍膜設(shè)備
      本裝置是在真空狀態(tài)中向產(chǎn)品外部涂層非導(dǎo)體的設(shè)備,在真空內(nèi)產(chǎn)品做自空傳,由能保持一定的膜厚度構(gòu)成的.
      更新時(shí)間:2025-09-09
      物理氣相沉積PVD
      veeco 的單靶點(diǎn) nexus pvdi 物理氣相沉積系統(tǒng)為各種薄膜沉積應(yīng)用提供了大的靈活性。nexus pvd 的加工精度為 200 毫米,具有先進(jìn)的工藝能力、無與倫比的均勻性和多種沉積模式
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
      產(chǎn)品概述:高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、e型電子槍、熱阻蒸發(fā)組件、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機(jī)臺及電控系統(tǒng)等部分組成,自動控制軟件系統(tǒng)。設(shè)備用途:電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      部件鍍膜設(shè)備
      它實(shí)現(xiàn)高大量生產(chǎn)性的高真空基本sputter - 可以生產(chǎn)1batch/900ea以上的產(chǎn)品,以沉積及sputter工序的佳化,提升emi莫品質(zhì) - 證明“沉積-sputter-沉積-sputter”的工序連接的優(yōu)秀性(zero defects化),因精密的機(jī)器設(shè)置及優(yōu)秀的設(shè)備耐用性保持,維護(hù)周期長,價(jià)格便宜。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      部件鍍膜設(shè)備
      本裝置是在真空狀態(tài)下在產(chǎn)品外部涂層非導(dǎo)電體的coating設(shè)備,由真空內(nèi)產(chǎn)品做著自傳,公轉(zhuǎn),并能保持一定的膜厚度.
      更新時(shí)間:2025-09-09
      卷對卷濺射鍍膜系統(tǒng)
      本裝置是在真空狀態(tài)下用于micro phone的厚度為4u film的gold(au)做sputtering的設(shè)備.
      更新時(shí)間:2025-09-09
      濺射或熱蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
      kurt j. lesker company® nano 36™ 是我們優(yōu)化的入門沉積系統(tǒng)。我們的腔室設(shè)計(jì)特別適合手套箱集成。nano 36 具有更高的功能和更小的占地面積,提供了實(shí)惠的價(jià)格點(diǎn),同時(shí)保持了您期望從 kjlc 獲得的質(zhì)量。nano 36 與以下沉積技術(shù)兼容:
      更新時(shí)間:2025-09-09
      沉積和金屬化系統(tǒng)
      kurt j. lesker company mini spectros™是基于主力spectros平臺的下一代薄膜沉積系統(tǒng)。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      有機(jī)薄膜沉積和金屬化系統(tǒng)
      kurt j. lesker company 的 spectros™ 150 是基于主力 spectros 平臺的下一代薄膜沉積系統(tǒng)。spectros平臺在全球擁有100多臺設(shè)備,是一種成
      更新時(shí)間:2025-09-09
      有機(jī)薄膜沉積和金屬化系統(tǒng)
      概述:針對有機(jī)材料沉積進(jìn)行了優(yōu)化多達(dá) 12 個(gè) lte 信號源;1cc、10cc或35cc 容量主體與摻雜劑比 1000:1 多達(dá) 4 個(gè)熱蒸發(fā)源基板快門自動基板、掩膜存儲和更換
      更新時(shí)間:2025-09-09
      多功能濺射、電子束和熱蒸發(fā)沉積平臺
      kurt j. lesker company pro line pvd 200 是一種模塊化、功能齊全的薄膜沉積系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn) 8 英寸晶圓轉(zhuǎn)移、多達(dá) 8 個(gè)濺射陰和 eklipse 高控制軟件。pvd 系列在全球擁有 500 多臺設(shè)備,是一種成熟、堅(jiān)固且多功能的設(shè)計(jì),由 pvd 75 和 200 平臺組成。pro line pvd 200 建立在原始設(shè)計(jì)的成功基礎(chǔ)上,改進(jìn)了系統(tǒng)基礎(chǔ)壓力和抽空
      更新時(shí)間:2025-09-09
      電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
      其強(qiáng)大的先進(jìn)研究工具設(shè)計(jì)用于適應(yīng)特定的薄膜應(yīng)用,如 gmr、cms、半導(dǎo)體、納米器件、光子學(xué)和光伏獨(dú)特的系統(tǒng)設(shè)計(jì)可以配置為真正的超高真空性能經(jīng)過現(xiàn)場測試和驗(yàn)證的設(shè)計(jì)
      更新時(shí)間:2025-09-09
      磁控濺射鍍膜設(shè)備
      kurt j. lesker company lab line uhv 濺射平臺為磁控濺射沉積應(yīng)用而設(shè)計(jì)。為滿足 uhv 濺射工藝需求而定制的腔室設(shè)計(jì)、具有高編程、負(fù)載鎖定功能的行業(yè)佳軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)提供的一些優(yōu)勢。®
      更新時(shí)間:2025-09-09
      無針孔 薄膜沉積設(shè)備
      al-1 無針孔 薄膜沉積設(shè)備通過交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑,僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜,實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。
      更新時(shí)間:2025-09-09
      高真空互聯(lián)物理氣相薄膜沉積系統(tǒng)
      概述:沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)好的軟件控制系統(tǒng);4英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性:≤±2.5%,8英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性:≤±3.5%,測定標(biāo)準(zhǔn)以ti靶材,濺射200——500nm厚薄膜,邊緣去5mm,隨機(jī)5點(diǎn)取樣測定為準(zhǔn)。
      更新時(shí)間:2025-09-09

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