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hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-11-05
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
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hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
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hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
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硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問題
更新時(shí)間:2025-11-05
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
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mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
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mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問題
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mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面，再回顧下數(shù)據(jù)格式，加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式：escape mode, high-speed (burst) mode and control mode，下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序：
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解決mipi屏黑屏問題 mipi調(diào)試過程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法依據(jù)ccir編碼表，sav和evav之間的保護(hù)數(shù)據(jù)是被編碼過的，使用這種方法，編碼器可以糾正1-bit錯(cuò)誤，可以檢查2-bit的錯(cuò)誤。該特征只是在csi的ccir編碼中，僅僅是奇偶交錯(cuò)模式中支持。
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分析與解決方法 mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試當(dāng)幀結(jié)束或者是個(gè)在rxfifo中的完整的幀數(shù)據(jù)被全部讀出時(shí)，eof中斷就產(chǎn)生了，eof并不在csi的prp模式中使用。該中斷是用在ccir奇偶域交錯(cuò)的模式下使用，該中斷當(dāng)field 1 和field 2交錯(cuò)的時(shí)候產(chǎn)生。f1_int和f2_int會(huì)產(chǎn)生
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解決mipi屏黑屏問題 mipi調(diào)試過程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試bayer數(shù)據(jù)是個(gè)從圖像傳感器獲得典型的行數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)寬度定要通過軟件轉(zhuǎn)化為rgb空間或者是yuv空間的數(shù)據(jù)格式。pack_dir bit設(shè)置為0，表示系統(tǒng)是小端，不是大端系統(tǒng)。使用p0,p1,p2,p3存放了打包了的數(shù)據(jù)內(nèi)容，p0是個(gè)data,依次，p3是個(gè)data.
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mipi clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問題mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。我們的攝像頭是ov9660，輸出設(shè)定為yuv模式，因此，csi獲取的數(shù)據(jù)也是yuv格式的數(shù)據(jù)，因此還需要通過軟件，將yuv的格式轉(zhuǎn)化為rgb565、rgb656、rgb888格式放到lcdc對(duì)應(yīng)的memory進(jìn)行顯示輸出。
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mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問題像素可以放映到你的抓圖上面的大小，該像素就是說明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少，可以想象在相同的面積上，數(shù)量越多，感光元件肯定要越小，感光元件小，那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差，這個(gè)當(dāng)然可以理解，但是從大的方面來說，只要鏡頭好，光源充足，那么效果也會(huì)變好，這樣畫面就比像素低的更加的細(xì)膩，所以高像素的好處就在這里。
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mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問題 mipi調(diào)試過程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
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emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
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emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
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emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
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emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
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emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
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相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來說，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
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emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
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emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
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emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
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emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
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相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
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相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過程。
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相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
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電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
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數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-11-05
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
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clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-11-05
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
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復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來越來越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-11-05
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-11-05
出租agilent usb3.0測(cè)試夾具u7242-26401
更新時(shí)間:2025-11-05
7405ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭，硬件測(cè)試，開放實(shí)驗(yàn)室，DDR測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-11-05
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-11-05
遇到的問題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-11-05
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-11-05
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題
更新時(shí)間:2025-11-05
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